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三星首款3nm芯片量產,功耗降低50%!外媒:臺積電并不擔心!

臺積電作為半導體代工行業的老大,一直都是同行們學習的對象,而且同行們也多次揚言會在不久之后趕上臺積電,爭取在幾年內完全超越臺積電。

但可惜的是,這些半導體代工廠與臺積電的差距正在持續擴大,三星就是很典型的例子。

三星為了在半導體行業快速發展,以實現反超臺積電,此前就決定要在2030年前持續投入1160億美元,以實現在3nm制程上趕超臺積電,并計劃在2025年實現芯片制造方面的領先。

這兩年三星半導體也沒有辜負如此巨大的投入,2020年開始量產5nm工藝,2021年又量產4nm工藝,而現在三星又將制程工藝推向了3nm水平。

日前有報道稱,三星3nm工藝已經實現量產,并且良率也已大幅改善,這意味著三星的3nm工藝實現量產,確實趕在了臺積電的前面。

媒體報道稱,美總統近日參觀了位于平澤市附近的三星芯片工廠,這是目前全球唯一可以量產3nm工藝的晶圓廠,而且三星還首次公開了3nm制程工藝的12英寸晶圓。

對于三星而言,3nm將是他們押注芯片工藝趕超臺積電的關鍵節點,因為臺積電的3nm工藝不會采用下一代的GAA晶體管技術,而三星卻采用了最新的技術。

據了解,GAA是一種新型的環繞柵極晶體管,通過納米片設備可制造出多橋-通道場效應管MBCFET,該技術可以顯著增強晶體管性能,將用于取代FinFET晶體管技術。

按照三星官方介紹,3nm GAA技術相比7nm制程工藝來說,邏輯面積效率提高了45%以上,功耗降低了50%,性能提高了約35%。

所以從紙面參數來看,三星的3nm技術是優于臺積電3nm FinFET工藝的,不過外媒卻對此潑了一盆冷水,外媒認為臺積電并不擔心三星的3nm工藝。

因為去年在4nm工藝節點量產上,三星是早于臺積電的,畢竟首款采用臺積電4nm工藝的芯片到今年2月才開始銷售,而采用三星4nm工藝的驍龍8 Gen1早在去年年底就在售了。

但搶先并不意味著領先,在4nm節點上三星就比臺積電差很多,驍龍8 Gen1無論是在性能還是在功耗上,都沒有采用臺積電4nm工藝的天璣9000芯片穩定。

再就是三星的新工藝此前還爆出良率只有35%,而且芯片發熱問題很嚴重,這就直接嚇跑了一些大客戶,包括英偉達及高通等客戶。

最近高通發布的驍龍8+芯片就是采用的臺積電4nm工藝,得益于臺積電工藝的加持,這顆芯片升級幅度非常明顯,官方表示CPU和GPU性能均有10%的提升,同時綜合功耗降低了15%。

從這個升級幅度可以看出,臺積電確實在制程工藝上有著絕對的優勢,這也是外媒認為臺積電并不擔心的原因所在。

另外,臺積電還有一個更有底氣的因素,就是幾乎所有大客戶都被其拿下了,包括蘋果、AMD、聯發科等,現在高通和英偉達又重新回歸,再加上與英特爾達成了合作,這些都反映出了臺積電的勢不可當。

而且臺積電的投入也要遠甩三星半導體一條街,前面提到三星計劃在未來十年,持續投入1160億美元,但臺積電的計劃是2022年的投入規模便高達400-440億美元。

值得一提的是,2021年臺積電計劃投入250-280億美元,但實際支出了300億美元。

按照計劃,臺積電今年投入的七八成將用于投資2nm等先進制程,一成用于先進封裝等,其余則用于成熟制程的投資。

所以在外界看來,臺積電未來將勢不可當,三星早已不足為患?!矩熑尉庉?周末】

來源:王石頭

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